S3C2440—8.读写SDRAM
文章目录 三.读写SDRAM
SDRAM: ，同步动态随机存储器，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写
一.内部结构
原理图如下：
存储逻辑结构：
可以看出SDRAM的内部是一个阵列，就像表格一样，其寻址方式是按照块、行、列来的，即先选定SDRAM芯片，然后发出块信号确定那一块，再发出行信号确定哪一行，再发出列信号确定哪一列。
CPU对SDRAM的访问可以分为以下几步：
看起来很简单，但是我们要考虑到，不同规格SDRAM对应着不同的寻址方式，因为不同的SDRAM可能行列数不一样，对时序要求不一样，所以在访问SDRAM之前，我们要配置存储控制器中的一些寄存器来匹配SDRAM！！！
二.相关寄存器
存储控制器一共有13个寄存器，6种寄存器，对BANK0~BANK5进行访问时，只需要配置和寄存器，但是对SDRAM访问，不仅仅需要对这俩个寄存器进行配置，还需要额外配置4个寄存器。
下面以访问SDRAM为例子介绍一下这些寄存器（按照芯片手册中的顺序来介绍）：
位宽&等待控制寄存器
所以，寄存器要或运算的值为：
BANK控制寄存器，用来控制外接设备的访问时序的，BANK0~BANK5默认
对于SDRAM的访问，我们需要配置的就是图中阴影部分的：
所以，寄存器要或运算的值为：
刷新控制寄存器，用来控制SDRAM的刷新模式和刷新频率。我们知道，SDRAM中的存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，所以就要配置刷新控制寄存器。
所以，寄存器要或运算的值为：
MRSR
SDRAM模式设置寄存器
只有CL的值是可以修改的，查询芯片手册：
可知，CL可以是或者是，保险起见，值为：011
所以，MRSR寄存器要或运算的值为：
/**********************************************************************************************************************/
综上所述，对SDRAM初始化的代码为：
void SDRAM_Init(void)
{/* 对BANK6进行配置 以访问SDRAM */BWSCON |= 0x02000000;//对SDRAM使用数据掩码、不使用WAIT信号、设置BANK6位宽32bitBANKCON6 = 0x00018005;//BANK6外接SDRAM、行列信号间延迟3clocks、设置列地址位数REFRESH = 0x008c07a3;//配置刷新模式及刷新计数值BANKSIZE = 0x000000b1;//设置BANK6大小为64MBMRSRB6 = 0x00000030;//设置CL为3clocks
}
三.读写SDRAM
对SDRAM进行配置之后，进行读写操作，看看写进去的值和读出来的值是否统一。
测试就直接写在main.c中吧：
#include "s3c2440_soc.h"
#include "uart.h"void SDRAM_Init(void)
{/* 对BANK6进行配置 以访问SDRAM */BWSCON |= 0x02000000;//对SDRAM使用数据掩码、不使用WAIT信号、设置BANK6位宽32bitBANKCON6 = 0x00018005;//BANK6外接SDRAM、行列信号间延迟3clocks、设置列地址位数REFRESH = 0x008c07a3;//配置刷新模式及刷新计数值BANKSIZE = 0x000000b1;//设置BANK6大小为64MBMRSRB6 = 0x00000030;//设置CL为3clocks
}int SDRAM_Test(void)
{/* BANK6 基地址0x30000000 */volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)(0x30000000);int n;/* 写入20Byte数据 */for( n=0;n<20;n++ ){*(p+n) = 0xbb;}for( n=0;n<20;n++ ){if( 0xbb != *(p+n) )return 0;}return 1;
}int main(void)
{SDRAM_Init();uart0_init();if( SDRAM_Test() )puts("OK!!!\n");elseputs("NOT OK!!!\n");return 0;}
代码亲测可以。
