2、温度补偿电路设计,具有可调功能的温补电路
有些参考NXP的文档
RF LDMOS Power for GSM Base :
百度文档:
一般在静态时,输入不加功率时,需要把LDMOS的静态漏级电流调到设计值;而LDMOS在工作时,会发热,使晶体管温度升高,从而漏级静态电流会偏移设计值。如图1所示:例如漏级静态电流在25℃设计为200mA,则相同静态电流的情况下,所需要的Vgs以-2.168mV/℃的速率降低,若Vgs不变换,则晶体管的工作点会发生漂移,因此需要温度补偿电路,特别是大功率LDMOS。
图1某射频大功率LDMOS的静态电流与Vgs在不同壳温的数据曲线
2、温度补偿电路设计,具有可调功能的温补电路
某三极管的温度系数,应该为负值,PN结的电压也是随温度升高而下降
图2 三级管的温度系数
值得注意的地方:PCB布局的时候三极管一定要放在靠近晶体管的地方