1.2 NAND操作

Write：也称为。给控制栅（ Gate）施加高电压，使中的电子越过衬底的二氧化硅层（SiO2）进入浮栅极（ Gate）。这个过程称为隧穿效应（ ）。

Read：读取数据时，通过word line给控制栅（ Gate）施加从小到大的电压，但不用隧穿电压那么高。 Gate中电子的多少会影响加压时对电流ON/OFF。判断中电流流动(ON)时的阈值电压，来感应 Gate中电子的数量，确定cell中的数据并通过bit line传送到page 。一个word line对应一个page，所以一个page 大小16k+2k。

Erase：反向加压，就是不对 Gate施加电压，而是对衬底的 P型半导体（P-Well）施加电压，会反向让 Gate中的电子再次穿越二氧化硅层被吸引出来，这个过程称为穿隧释出（ ）。Erase后 Gate中没有捕获电子，Read时所用电压阈值低，获取的数据TLC为111，所以我们从SSD读数据时在的表现是十六进制的F。